Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Los Mosfet IRF son silicio en modo de mejora de canal N transistores de efecto de campo de potencia de puerta. Están diseñados, probados y garantizado para soportar un nivel especifico de energía en el desglose del modo de operación de avalancha del modo de mejora del canal P Transistores de efecto de campo de potencia. . Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF640 es un mosfet de canal único N de 200v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.
Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
- Baja resistencia térmica
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dinámica dv / dt
- Cambio rápido
- Totalmente avalancha nominal
- Facilidad de paralelismo
- Requisito de manejo simple
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
| Modelo: | IRF640 |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 200 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 18 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 180 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Temperatura de trabajo mínima/máxima: | - 55 C + 175 C |
| Disipación de potencia | 125 W |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 2.9 cm |
| Ancho | 1 cm |
| Alto | 0.5 cm |
| Peso | 2 gr |