MOSFET IRF9540. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de Potencia y canal P. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V de canal P de potencia que proporciona al diseñador con la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria.
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan diseñador con la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
El paquete TO-220AB es el preferido universalmente para todos. Aplicaciones comerciales-industriales en disipación de potencia. Existen niveles a aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
| Modelo: | IRF9540 |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 100 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 19 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 200 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Temperatura de trabajo mínima/máxima: | - 55 C + 175 C |
| Disipación de potencia | 150 W |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 2.9 cm |
| Ancho | 1 cm |
| Alto | 0.5 cm |
| Peso | 2 gr |