El transistor NPN puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador con ganancia variable. También es la base para el desarrollo de sistemas digitales como compuertas lógicas. Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo o alto consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Además, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas o altas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja o altas potencias, entre otros muchos usos. Todo depende del modelo.
BC337 Transistor BJT NPN 45V - 870mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en metal con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 870mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (HFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación y puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). La diferencia es que su cuerpo está formado por una carcasa metálica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.
Este es un transistor bipolar para usos generales de mediana potencia, muy similares a los BC548 (NPN) y BC558 (PNP) pero con una capacidad de corriente de colector mucho mayor, hasta 870 mA, característica que les permite de ser usados en muchas aplicaciones de control de media potencia como por ejemplo drivers para pequeños motores, relés y también tiras de leds cortas.
Especificaciones
Modelo: | BC337. |
Polaridad del transistor: | NPN. |
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: | 700 mV a 50 mA, 500 mA. |
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: | 100 a 100 mA, 1V. |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): | 100 nA (ICBO). |
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): | 45 V. |
Corriente Nominal: | 870 mA. |
Potencia - Máx. | 625 mW. |
HFE (30 a 100 para Ic): | 0.1mA a 100mA. |
Transición Typ ft Frecuencia: | 210 MHz. |
Ganancia de corriente continúa HFE: | 300. |
Temperatura de trabajo mínima: | - 65 C. |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C. |
Encapsulado: | TO-92. |
Tensión VCBO colector-base: | 50 V. |
Voltaje VEBO emisor-base: | 5 V. |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 1.7 cm |
| Ancho | 0.4 cm |
| Alto | 0.5 cm |
| Peso | 0.2 gr |
-
attach_file
0.23 MB nxp_bc817_bc817w_bc337-1188861 (2020-12-30 23-19-24).pdfcloud_download