El transistor NPN puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador con ganancia variable. También es la base para el desarrollo de sistemas digitales como compuertas lógicas. Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo o alto consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Además, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas o altas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja o altas potencias, entre otros muchos usos. Todo depende del modelo.
BD135 Transistor BJT NPN 45V – 1.5A SOT-32, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (HFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación y puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts).
El BD135 es un transistor de baja tensión NPN fabricado en tecnología planar epitaxia y dentro de sus funciones es utilizado como Amplificador de vertical de televisión, por su amplio uso se pueden encontrar en una variada gama de equipos electrónicos, fundamentalmente en aquellos que se utilizan como controladores y amplificadores de señal de audio.
Especificaciones:
Modelo: | BD135. |
Polaridad del transistor: | NPN. |
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: | 500 mV a 50 mA, 500 mA. |
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: | 40 a 150 mA, 2 V. |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): | 100 nA (ICBO). |
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): | 45 V. |
Corriente Nominal: | 1.5 A. |
Potencia - Máx. | 12.5 mW. |
HFE (35 a 100 para Ic): | 0.1mA a 500mA. |
Transición Typ ft Frecuencia: | 300 MHz. |
Ganancia de corriente continúa HFE: | 250. |
Temperatura de operación: | -55 a +175°C. |
Encapsulado: | SOT-32. |
Tensión VCBO colector-base: | 45 V. |
Voltaje VEBO emisor-base: | 5 V. |
Voltaje de saturación colector-emisor: | 0.5 V. |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 2.6 cm |
| Ancho | 0.4 cm |
| Alto | 0.7 cm |
| Peso | 0.7 gr |
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