El transistor NPN puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador con ganancia variable. También es la base para el desarrollo de sistemas digitales como compuertas lógicas. Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo o alto consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Además, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas o altas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja o altas potencias, entre otros muchos usos. Todo depende del modelo.
BD139 Transistor BJT NPN 80V - 1A SOT-32, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (HFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación y puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts).
El BD139G es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de audio y controladores que utilizan circuitos complementarios o casi complementarios.
Especificaciones:
Modelo: | BD139. |
Polaridad del transistor: | NPN. |
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: | 500mV a 50mA, 500mA. |
Ganancia de CC (HFE) (mín.) a Ic, Vce: | 40 a 150mA, 2V. |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): | 100 nA (ICBO). |
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): | 80V. |
Corriente Nominal: | 1A. |
Potencia - Máx. | 1.25W. |
Transición Typ ft Frecuencia: | 300 MHz. |
Ganancia de corriente continúa HFE: | 250. |
Temperatura de operación: | -65 a +150°C. |
Encapsulado: | SOT-32. |
Tensión VCBO colector-base: | 80 V. |
Voltaje VEBO emisor-base: | 5 V. |
Voltaje de saturación colector-emisor: | 0.5 V. |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 2.65 cm |
| Ancho | 0.25 cm |
| Alto | 0.75 cm |
| Peso | 0.6 gr |
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