El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología avanzada de procesos
- Ultra bajo en resistencia
- Valor dinámico dV / dt
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
- Temperatura de funcionamiento 175 °C
- Aplicaciones: Administración de potencia
Polaridad de transistor : | Canal N |
|---|---|
Voltaje de drenaje a fuente VDS: | 55 V |
Voltaje de drenaje a fuente VDGR : | 55 V |
Voltaje de puerta a frente VGS : | ±20 V |
Corriente continua de drenaje ID: | 49 A |
Corriente de drenaje pulsada IDP: | 160 A |
Corriente de avalancha IAR: | 25 A |
| Disipación de potencia máxima: | 94 W |
| Temperatura de operación mínima: | -55º C |
| temperatura de operación máxima: | 175º C |
| Cantidad de pines: | 3 pines |
| Encapsulado: | TO-220 |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 2.5 cm |
| Ancho | 1 cm |
| Alto | 0.5 cm |
| Peso | 2 gr |
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