El transistor NPN puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador con ganancia variable. También es la base para el desarrollo de sistemas digitales como compuertas lógicas. Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo o alto consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Además, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas o altas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja o altas potencias, entre otros muchos usos. Todo depende del modelo.
BC548 Transistor BJT NPN 30V – 100mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en metal con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 500mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 870mA o que requieran tensiones de hasta 30VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (HFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación y puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). La diferencia es que su cuerpo está formado por una carcasa metálica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.
Todos los miembros de la familia BC548 soportan corrientes de salida (corriente entre colector y emisor) hasta 100 mA mientras que las tensiones máximas dependen del modelo, también se puede observar el rango que trabajan es desde los 30V y otros a los 65V esto depende del modelo. Entre las aplicaciones, se encuentran la de amplificador de baja señal y en fuentes de alimentación.
Especificaciones
Modelo: | BC548. |
Polaridad del transistor: | NPN. |
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: | 600mV a 5mA, 100mA. |
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: | 110 a 2mA, 5V. |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): | 15 nA. |
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.): | 30V. |
Corriente Nominal: | 100mA. |
Potencia - Máx. | 500mW. |
Transición Typ ft Frecuencia: | 300 MHz. |
Ganancia de corriente continúa HFE: | 110. |
Temperatura de trabajo mínima: | - 65 C. |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C. |
Encapsulado: | TO-92. |
Tensión VCBO colector-base: | 30 V. |
Voltaje VEBO emisor-base: | 5 V. |
Voltaje de saturación colector-emisor: | 250 mV. |
| Característica | |
|---|---|
| Largo | 1.7 cm |
| Ancho | 0.4 cm |
| Alto | 0.5 cm |
| Peso | 0.2 gr |
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